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Tetrakis(dimethylamino)titan (TDMAT) ist eine chemische Verbindung, die z. B. bei der Halbleiterherstellung mit der metallorganischen chemische Gasphasenabscheidung (englisch metal organic chemical vapour deposition, MOCVD) eingesetzt wird. Formal ist es das Tetrakis(dimethylamid) der Orthotitansäure mit der Konstitutionsformel [(CH3)2N]4Ti. Es lässt sich durch Umsetzung von Titan(IV)-chlorid mit Lithiumdimethylamid herstellen.cite-ref-hefner-4-0[4]

• Eigenschaften und Sicherheitshinweise

• Verwendung

• Einzelnachweise

Die brennbare Substanz besitzt einen fischartigen Geruchcite-ref-gelest-2-2[2] und ist wegen des niedrigen Flammpunktes (je nach Quelle zwischen −30 °Ccite-ref-sigma-3-2[3] und 87 °Ccite-ref-gelest-2-3[2]) leicht entzündlich. Mit Wasser – schon aus der Luft – zersetzt sich TDMAT unter heftiger Reaktion.cite-ref-alfa-1-5[1]

Beim Einatmen der Substanz wirkt diese extrem schädigend auf Atemwege, beim Kontakt mit Haut und Augen ätzend. Daneben können Symptome wie Husten, Atemnot, Kopfschmerzen, Übelkeit und Erbrechen auftreten.cite-ref-sigma-3-3[3]cite-ref-5[5]

TDMAT wird in der Methode der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) als gasförmiges Edukt eingesetzt. Während der Reaktion bildet sich auf einem Substrat der gewünschte, extrem harte Überzug aus Titannitrid (TiN). Der Vorteil gegenüber anderen Edukten wie Titan(IV)-chlorid (TiCl4) liegt in der Möglichkeit, die Reaktionstemperatur auf ~ 450 °C zu reduzieren, während bei TiCl4 Temperaturen > 900 °C benötigt werden.cite-ref-6[6]

cite-note-alfa-11. Datenblatt Tetrakis(dimethylamino)titan bei Alfa Aesar, abgerufen am 14. März 2010 (Seite nicht mehr abrufbar).

cite-note-gelest-22. gelest.com: Sicherheitsdatenblatt (MSDS) (Memento vom 4. März 2016 im Internet Archive) (PDF; 82 kB)

cite-note-sigma-33. Datenblatt Tetrakis(dimethylamido)titanium(IV) bei Sigma-Aldrich, abgerufen am 10. November 2021 (PDF).

cite-note-hefner-44. ↑ Patent EP0476671: Homogeneous catalysts and olefin polymerization process. Veröffentlicht am 25. März 1992, Erfinder: J. G. Hefner, B. W. Kolthammer, D. R. Gifford.‌

cite-note-55. ↑ Sicherheitsdatenblatt (MSDS). Praxair (PDF, englisch; 52 kB).

cite-note-66. ↑ M. Meyyappan, D. J. Economou, S. Watts Butler: Proceedings of the Symposium Om Process Control, Diagnostics, and Modeling in Semiconductor Manufacturing. The Electrochemical Society, 1995, ISBN 978-1-56677-096-5, S. 399ff.